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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
52
左右 -37% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.7
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
4200
左右 5.07 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
38
读取速度,GB/s
2,614.5
15.0
写入速度,GB/s
1,145.9
10.7
内存带宽,mbps
4200
21300
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
2845
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
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Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
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