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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
52
左右 -73% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.1
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
4200
左右 4.57 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
30
读取速度,GB/s
2,614.5
16.7
写入速度,GB/s
1,145.9
12.1
内存带宽,mbps
4200
19200
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
3090
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
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