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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
52
左右 -189% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.5
2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.3
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
4200
左右 4.05 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
18
读取速度,GB/s
2,614.5
20.5
写入速度,GB/s
1,145.9
16.3
内存带宽,mbps
4200
17000
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
3575
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
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