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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
52
左右 -68% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.0
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
4200
左右 4.05 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
31
读取速度,GB/s
2,614.5
17.3
写入速度,GB/s
1,145.9
14.0
内存带宽,mbps
4200
17000
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
3112
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
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