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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
19.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
52
左右 -41% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.4
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
4200
左右 6.1 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
37
读取速度,GB/s
2,614.5
19.5
写入速度,GB/s
1,145.9
12.4
内存带宽,mbps
4200
25600
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
3355
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB RAM的比较
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905713-008.A00G 4GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
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G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
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