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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
52
左右 -8% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
4200
左右 4.57 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
48
读取速度,GB/s
2,614.5
10.8
写入速度,GB/s
1,145.9
8.1
内存带宽,mbps
4200
19200
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
2431
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
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