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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.6
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
4200
左右 4.57 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
52
读取速度,GB/s
2,614.5
10.4
写入速度,GB/s
1,145.9
7.6
内存带宽,mbps
4200
19200
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
2384
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
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SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
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