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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
66
左右 -128% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.8
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
29
读取速度,GB/s
2,775.5
17.9
写入速度,GB/s
1,557.9
13.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
3336
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
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