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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
19.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
66
左右 -154% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.0
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
26
读取速度,GB/s
2,775.5
19.7
写入速度,GB/s
1,557.9
15.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
3452
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB RAM的比较
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
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Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
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Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
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