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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.0
6.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
42
左右 -75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12
10.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
24
读取速度,GB/s
10.6
12.0
写入速度,GB/s
9.0
6.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
1433
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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