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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
66
左右 -61% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.2
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
41
读取速度,GB/s
2,775.5
16.1
写入速度,GB/s
1,557.9
13.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
2870
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
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