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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
66
左右 -164% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.6
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
25
读取速度,GB/s
2,775.5
17.2
写入速度,GB/s
1,557.9
14.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
3414
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
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