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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
66
左右 -89% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.4
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
35
读取速度,GB/s
2,775.5
15.0
写入速度,GB/s
1,557.9
10.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
2672
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
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Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
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