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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
66
左右 -94% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.5
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
34
读取速度,GB/s
2,775.5
15.4
写入速度,GB/s
1,557.9
11.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
2763
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
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Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB RAM的比较
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Kingston 9905403-181.A00LF 4GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
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