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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

总分
star star star star star
A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

总分
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Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

差异 规格 评论

差异

A-DATA Technology DQVE1908 512MB 需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    2 left arrow 16.7
    测试中的平均数值
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB 需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    34 left arrow 66
    左右 -94% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.3 left arrow 1,557.9
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 6400
    左右 4 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    66 left arrow 34
  • 读取速度，GB/s
    2,775.5 left arrow 16.7
  • 写入速度，GB/s
    1,557.9 left arrow 12.3
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    382 left arrow 2584

A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较

Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
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内存RAM
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
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内存RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
内存RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
内存RAM
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
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内存RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
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内存RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
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内存RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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