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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
46
左右 -21% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
38
读取速度,GB/s
4,937.3
14.2
写入速度,GB/s
2,061.2
10.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
2807
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB RAM的比较
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
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