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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
21.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
16.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
46
左右 -64% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
28
读取速度,GB/s
4,937.3
21.4
写入速度,GB/s
2,061.2
16.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
3739
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
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