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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
46
左右 -53% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
30
读取速度,GB/s
4,937.3
16.7
写入速度,GB/s
2,061.2
12.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
3090
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
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