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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
46
左右 -84% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
25
读取速度,GB/s
4,937.3
14.6
写入速度,GB/s
2,061.2
12.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
3187
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Inmos + 256MB
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