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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Inmos + 256MB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Inmos + 256MB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
Inmos + 256MB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
30
左右 7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.9
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Inmos + 256MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.1
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
16800
12800
左右 1.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Inmos + 256MB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
30
读取速度,GB/s
12.9
11.5
写入速度,GB/s
9.0
9.1
内存带宽,mbps
12800
16800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
2112
2318
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
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Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
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