Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Inmos + 256MB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Inmos + 256MB

Note globale
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Note globale
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Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    28 left arrow 30
    Autour de 7% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    12.9 left arrow 11.5
    Valeur moyenne dans les tests
Inmos + 256MB Raisons de considérer
Inmos + 256MB
Signaler un bogue
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    9.1 left arrow 9.0
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    16800 left arrow 12800
    Autour de 1.31 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Inmos + 256MB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    28 left arrow 30
  • Vitesse de lecture, GB/s
    12.9 left arrow 11.5
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    9.0 left arrow 9.1
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 16800
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow no data
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2112 left arrow 2318
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons