Porównanie pamięci RAM Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Inmos + 256MB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Inmos + 256MB

Wynik ogólny

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

28 30

Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

12.9 11.5

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Inmos + 256MB

Większa szybkość zapisu, GB/s

9.1 9.0

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

16800 12800

Wokół strony 1.31 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Inmos + 256MB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2112 2318

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns