RAM-Vergleich Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Inmos + 256MB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Inmos + 256MB

Gesamtnote

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

28 30

Rund um 7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

12.9 11.5

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Inmos + 256MB

Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

9.1 9.0

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

16800 12800

Rund um 1.31 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Inmos + 256MB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2112 2318

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns