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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Inmos + 256MB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Inmos + 256MB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
Inmos + 256MB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
30
En 7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.9
11.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Inmos + 256MB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
16800
12800
En 1.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Inmos + 256MB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
11.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
16800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
2318
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Inmos + 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
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