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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
14.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
46
左右 -44% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
32
读取速度,GB/s
4,937.3
16.4
写入速度,GB/s
2,061.2
14.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
3462
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Mushkin 991586 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
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