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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
46
左右 -53% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
30
读取速度,GB/s
4,937.3
17.6
写入速度,GB/s
2,061.2
15.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
3672
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP669238-071-HYC 4GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
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