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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
46
左右 -44% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
32
读取速度,GB/s
4,937.3
15.8
写入速度,GB/s
2,061.2
12.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
2935
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
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Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
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