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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
46
左右 -48% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
31
读取速度,GB/s
4,937.3
17.8
写入速度,GB/s
2,061.2
15.7
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
3699
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
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