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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
46
左右 -31% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
35
读取速度,GB/s
4,937.3
16.3
写入速度,GB/s
2,061.2
12.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
2863
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
INTENSO 5641160 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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