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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingston 9905622-024.A00G 4GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
46
左右 -84% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
25
读取速度,GB/s
4,937.3
14.8
写入速度,GB/s
2,061.2
11.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
2305
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
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