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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingston 9905703-009.A00G 16GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
46
左右 -48% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
31
读取速度,GB/s
4,937.3
17.6
写入速度,GB/s
2,061.2
14.1
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
2915
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
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