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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
14.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
46
左右 -84% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
25
读取速度,GB/s
4,937.3
17.6
写入速度,GB/s
2,061.2
14.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
3297
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
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