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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
46
左右 -100% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.0
2,061.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
23
读取速度,GB/s
4,937.3
14.3
写入速度,GB/s
2,061.2
7.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
2103
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
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