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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
46
左右 -10% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.7
2,061.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
42
读取速度,GB/s
4,937.3
12.9
写入速度,GB/s
2,061.2
9.7
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
2735
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston HP698656-154-KEB 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
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