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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
46
左右 -10% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.7
2,061.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
42
读取速度,GB/s
4,937.3
12.9
写入速度,GB/s
2,061.2
9.7
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
2735
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
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