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AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
67
左右 -103% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.6
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
33
读取速度,GB/s
6.8
19.6
写入速度,GB/s
3.6
14.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
3374
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
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