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AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
67
左右 -253% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.4
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.8
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
19
读取速度,GB/s
6.8
20.4
写入速度,GB/s
3.6
17.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
3855
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
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Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
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