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AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
62
67
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
62
读取速度,GB/s
6.8
18.0
写入速度,GB/s
3.6
9.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
2018
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
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