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AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
67
83
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
83
读取速度,GB/s
6.8
15.1
写入速度,GB/s
3.6
8.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
1663
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
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