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AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
67
左右 -97% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
34
读取速度,GB/s
6.8
16.5
写入速度,GB/s
3.6
13.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
3199
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2
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