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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
51
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.3
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
39
读取速度,GB/s
9.8
13.3
写入速度,GB/s
8.1
9.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2419
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
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