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AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
67
左右 -191% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
23
读取速度,GB/s
6.8
17.4
写入速度,GB/s
3.6
13.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
3195
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
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