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AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
67
左右 -131% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
29
读取速度,GB/s
6.8
18.6
写入速度,GB/s
3.6
14.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
3480
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
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