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AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
67
左右 -148% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.9
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
27
读取速度,GB/s
6.8
19.4
写入速度,GB/s
3.6
16.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
3929
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
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