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PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
37
左右 27% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.6
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
37
读取速度,GB/s
13.8
14.6
写入速度,GB/s
8.4
11.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2780
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
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