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AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
67
左右 -131% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.1
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
29
读取速度,GB/s
6.8
18.2
写入速度,GB/s
3.6
16.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
3748
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
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G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
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