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AMD AE34G1601U1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
67
左右 -91% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
35
读取速度,GB/s
6.8
19.0
写入速度,GB/s
3.6
13.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
3331
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
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