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AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

AMD AE34G1601U1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

总分
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AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

总分
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

差异 规格 评论

差异

AMD AE34G1601U1 4GB 需要考虑的原因
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB 需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 67
    左右 -191% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.2 left arrow 6.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.1 left arrow 3.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    67 left arrow 23
  • 读取速度，GB/s
    6.8 left arrow 18.2
  • 写入速度，GB/s
    3.6 left arrow 15.1
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    998 left arrow 3498

AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较

Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

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Kingston 9905625-065.A00G 16GB
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内存RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
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内存RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Kingston 9905625-062.A00G 8GB
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内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
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内存RAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
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Maxsun MSD416G26Q3 16GB
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Kingston 9905700-024.A00G 8GB
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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