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AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Kingston KYXC0V-MIB 16GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
67
左右 -97% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
34
读取速度,GB/s
6.8
14.8
写入速度,GB/s
3.6
9.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
2739
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB RAM的比较
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
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