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AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
51
67
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.4
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.9
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
51
读取速度,GB/s
6.8
10.4
写入速度,GB/s
3.6
7.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
2387
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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CompuStocx (CSX) Compustocx (CSX) 4GB
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Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
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