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AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
43
67
左右 -56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.6
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
43
读取速度,GB/s
6.8
11.6
写入速度,GB/s
3.6
11.2
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
2615
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
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Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
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Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
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